Modern DRAM芯片中内部缓解措施(为防止RowHammer攻击)的部署存在输入验证错误漏洞。攻击者可利用该漏洞提升权限。以下产品及版本受到影响:SK Hynix DDR4 SDRAM;SK Hynix LPDDR4;Micron DDR4 SDRAM;Micron LPDDR4;Samsung DDR4 SDRAM;Samsung LPDDR4。
Modern DRAM芯片中内部缓解措施(为防止RowHammer攻击)的部署存在输入验证错误漏洞。攻击者可利用该漏洞提升权限。以下产品及版本受到影响:SK Hynix DDR4 SDRAM;SK Hynix LPDDR4;Micron DDR4 SDRAM;Micron LPDDR4;Samsung DDR4 SDRAM;Samsung LPDDR4。